AST聚昌科技Psur-100VB磁控濺鍍設(shè)備(Magnetic Enhanced Sputter)是針對各種金屬化製程、擴散阻障層或反應(yīng)式光學(xué)薄膜等應(yīng)用所設(shè)計的批量式量產(chǎn)設(shè)備。
應(yīng)用
AST聚昌科技Psur-100VB磁控濺鍍設(shè)備(Magnetic Enhanced Sputter)是針對各種金屬化製程、擴散阻障層或反應(yīng)式光學(xué)薄膜等應(yīng)用所設(shè)計的批量式量產(chǎn)設(shè)備。尤其在ⅢⅤ族半導(dǎo)體的生產(chǎn)過程中，濺鍍薄膜沉積製程之運用，已占有愈來愈多且重要的地位。主要的應(yīng)用可分為下列三大類：
(1) WTi/Au/Ti或Ti/Au
(2) TaN或TiWSiN
(3) ITO或SiO2，TiO2
特點
Psur-100VB為符合量產(chǎn)上的需求，採用Batch Type大型量產(chǎn)全自動化功能設(shè)計，可大幅降低人員需求與人為疏失可能造成的良率與品質(zhì)的不穩(wěn)定性，確保整體的有效產(chǎn)出，此外，模組化的設(shè)計、優(yōu)異的鍍膜均勻性及批量化的生產(chǎn)模式，可提高250%的產(chǎn)能，進一步減少使用者資本支出及設(shè)備佔用面積。Psur-100VB濺鍍設(shè)備的特點包括：
(1) 高產(chǎn)出率（80 * ∮2”wafers）
(2) 高鍍膜品質(zhì)再現(xiàn)性與穩(wěn)定性
(3) 優(yōu)異的Batch to Batch鍍膜均勻性（＜3%）
(4) 可搭配批量式全自動化軟體控制功能
(5) 可擴充多樣工業(yè)用方形靶材(Up to 4 Cathodes of Target)
(6) 可搭配DC-Pulse或RF濺鍍模式
(7) 適用于各種不同基板，藉由以上功能，可提供使用者不同的製程量產(chǎn)需求之操作模式。
規(guī)格
Wafer Numbers / Sizes
(80 -10) pcs / (2"- 6")
Sputter Cathodes
Up to 4 sets (Option)
Power Suppliers
DC, Pulsed-DCRF (Option)
Ultimate Pressure
< 5E-7 Torr
based Pressure
5E-6 Torr within 30 mins
Pumping System
Turbomolecular Pump + Rotary Pump or
Cryopump + Dry pump (Option)
Automatic Control System
Industrial HMI with Graphic User Interface
Substrate Temperature Control
RT ~ 350℃
Non-Uniformity
5% for WIW, WTWRTR
Power Requirement
AC220V, 3 phase, 60 Hz, 100A,
Dry N2 Requirement
1.2 kgw/cm2
CDA Requirement
5 kgw/cm2
Water Requirement
1.5 kgw/cm2, 20。, 40 l/min
Dimension (WxDxH)
1300 x 900 x 1800 (mm)
Weight
700 kgw
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