AWB具有執(zhí)行對(duì)齊功能:

陽(yáng)極，共晶，直接(高溫和低溫)玻璃熔塊，粘合劑，焊料和熱壓晶片焊接。

新的“無(wú)粘合劑”臨時(shí)粘接

在一臺(tái)機(jī)器上對(duì)中和粘接

?In-situ 對(duì)齊 accuracy.  1 微米

?10-6mbar Vacuum 2 條 過(guò)程 ?特高壓選項(xiàng)

?Voltage 2.5 kV. 

?Temperature 560 ° C. 

?Forces 40 kN. 

結(jié)合 周期 / 高 throughput.  ?Market 領(lǐng)先 快

2 “ 8 ".  ?Wafer 大小

In-situ UV cure. 

自動(dòng)PC控制和數(shù)據(jù)采集

實(shí)時(shí)控制所有鍵參數(shù)或全自動(dòng)配方。所有的鍵合參數(shù)，如電流、電壓、集成電荷、溫度、室壓、力、晶圓分離、運(yùn)行參數(shù)、配方、SPC晶圓批號(hào)、事件日志等，都自動(dòng)存儲(chǔ)在文件中，用于圖形繪制和趨勢(shì)分析。機(jī)器也可以聯(lián)網(wǎng)，并由AML遠(yuǎn)程詢問(wèn)，以幫助發(fā)現(xiàn)故障。全自動(dòng)配方，包括在生產(chǎn)環(huán)境中自動(dòng)對(duì)齊除霧操作。

對(duì)齊方式:

手動(dòng)和自動(dòng)對(duì)齊。原位對(duì)齊比其他焊接(在粘結(jié)室外進(jìn)行對(duì)齊)具有優(yōu)勢(shì)。'一鍵'對(duì)齊和鍵合。可見(jiàn)光和紅外光譜。廣泛間隔的三維對(duì)齊標(biāo)記的圖像捕獲。

校準(zhǔn)可進(jìn)行熱或冷:

這消除了由于熱膨脹和晶圓片、機(jī)器部件和壓板之間的不匹配而導(dǎo)致的對(duì)準(zhǔn)誤差。

大晶片分離:

允許晶圓片之間存在較大的溫差，這是通過(guò)工藝氣體(如成形氣體)更好地活化或原位氧化還原晶圓片的理想選擇。也允許快速，高真空和良好定義的焊接環(huán)境。

現(xiàn)場(chǎng)系統(tǒng):

還可以在粘接過(guò)程之前直觀地確認(rèn)所需的對(duì)齊仍在進(jìn)行中。

晶片尺寸:

2 "， 3"， 4"， 5 "， 6 "和8 "。(芯片和形狀奇怪的基板，但沒(méi)有對(duì)齊)。

機(jī)械手:

使晶圓片在真空和高溫下能夠原位對(duì)準(zhǔn)。

接觸力:通過(guò)手動(dòng)或電動(dòng)液壓提供，最大可達(dá)40kN。

精密晶圓平行度調(diào)整。

1μm對(duì)準(zhǔn)精度。

光學(xué):

雙顯微鏡-通過(guò)鏡頭照明的照相機(jī)系統(tǒng)。兩個(gè)CCD相機(jī)并排顯示圖像。包括紅外功能。同時(shí)顯示晶圓片的分離力和鍵合力，實(shí)現(xiàn)對(duì)中控制。

成鍵

環(huán)境:

真空，或工藝氣體。全自動(dòng)干式渦輪泵送系統(tǒng)~ 1x10- 6mbar至2bar絕對(duì)壓力。特高壓選項(xiàng)

溫度:

上下壓板均可獨(dú)立調(diào)節(jié)，在1°C的步驟。加熱和冷卻速度可編程。最高溫度是560℃。

電極(陽(yáng)極鍵合):

全尺寸加熱板，用于上下電極，以獲得更好的粘結(jié)均勻性。0-2.5千伏直流可達(dá)40毫安。恒流或恒壓運(yùn)行，改善過(guò)程控制和應(yīng)力管理。

AWB-04可以粘合3到6英寸的晶圓片和芯片

AWB-08可以粘合6英寸和8英寸的晶片

其他選項(xiàng):

?Auto alignment. 

?Triple 堆棧 結(jié)合 tool. 

?Powered lid. 

?Pressure control. 

?CMOS compatible. 

?High 精度 系統(tǒng) 1 μm alignment. 

低溫 激活 bonding.  ?RAD 工具

?In-situ UV Cure. 

?Motorised X, Y, ? & Z movement. 

?Image capture. 

?Process support.