鵬城半導體技術（深圳）有限公司（簡稱：鵬城半導體）研發(fā)設計制造了熱絲CVD金剛石設備，分為實驗型設備和生產(chǎn)型設備兩類。

設備主要用于微米晶和納米晶金剛石薄膜、導電金剛石薄膜、硬質(zhì)合金基金剛石涂層刀具、陶瓷軸承內(nèi)孔鍍金剛石薄膜等。

可用于生產(chǎn)制造環(huán)保領域污水處理用的耐*腐*蝕*金剛石導電電極。

可用于平面工件的金剛石薄膜制備，也可用于刀具表面或其它不規(guī)則表面的金剛石硬質(zhì)涂層制備。

平面工作尺寸

圓形平面工作的尺寸：φ650mm。

矩形工作尺寸的寬度600mm/長度可根據(jù)鍍膜室的長度確定（如：工件長度1200mm）。

配置冷水樣品臺。

熱絲電源功率

可達300KW，1KW ～300KW可調(diào)（可根據(jù)用戶工藝需求配置功率范圍）

設備安全性

-電力系統(tǒng)的檢測與保護

-設置真空檢測與報警保護功能

-冷卻循環(huán)水系統(tǒng)壓力檢測和流量檢測與報警保護

-設置水壓檢測與報警保護裝置

-設置水流檢測報警裝置

設備構成

真空室構成

雙層水冷結構，立式圓形、立式D形、立式矩形、臥式矩形,前后開門，真空尺寸,根據(jù)工件尺寸和數(shù)量確定。

熱絲

熱絲材料：鉭絲、或鎢絲

熱絲溫度：1800℃～ 2500℃ 可調(diào)

樣品臺

可水冷、可加偏壓、可旋轉、可升降 ，由調(diào)速電機控制，可實現(xiàn)自動升降，（熱絲與襯底間距在5 ～ 100mm范圍內(nèi)可調(diào)），要求升降平穩(wěn),上下波動不大于0.1mm。

工作氣路（CVD）

工作氣路根據(jù)用戶工藝要求配置：

下面氣體配置是某一用戶的配置案例。

H2(5000sccm，濃度*100*%)

CH4(200sccm，濃度*100*%)

B2H6（50sccm，H2濃度99*%）

Ar(1000sccm，濃度100%)

真空獲得及測量系統(tǒng)

控制系統(tǒng)及軟件

實驗型 熱絲CVD金剛石設備

單面熱絲CVD金剛石設備

雙面熱絲CVD金剛石設備

生產(chǎn)型熱絲CVD金剛石設備

可制備金剛石面積-寬650*1200mm

可制備金剛石φ 650mm

關于我們

鵬城半導體技術（深圳）有限公司，由哈爾濱工業(yè)大學（深圳）與有多年實踐經(jīng)驗的工程師團隊共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術沿與市場沿的交叉點，尋求創(chuàng)新與可持續(xù)發(fā)展，解決產(chǎn)業(yè)的痛點和國產(chǎn)化難題，爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。

公司核心業(yè)務是微納技術與精密制造，具體應用域包括半導體材料、半導體工藝和半導體裝備的研發(fā)設計和生產(chǎn)制造。

公司人才團隊知識結構完整，有以哈工大教授和博士為核心的高水平材料研究和工藝研究團隊；還有來自工業(yè)界的高裝備設計師團隊，他們具有20多年的半導體材料研究、外延技術研究和半導體薄膜制備成套裝備設計、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗。

公司依托于哈爾濱工業(yè)大學（深圳），具備先/進的半導體研發(fā)設備平臺和檢測設備平臺，可以在高起點開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及半導體材料與器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。

公司已投放市場的部分半導體設備

|物理氣相沉積（PVD）系列

磁控濺射、電子束、熱蒸發(fā)鍍膜機，激光沉積設備PLD

|化學氣相沉積（CVD）系列

MOCVD、PECVD、LPCVD、微波等離子體CVD、熱絲CVD、原子層沉積設備ALD

|超高真空系列

分子束外延系統(tǒng)（MBE）、激光分子束外延系統(tǒng)（LMBE）

|成套設備

團簇式太陽能薄膜電池中試線、OLED中試設備（G1、G2.5）

|其他

金剛石薄膜制備設備、合金退火爐、硬質(zhì)涂層設備、磁性薄膜設備、電制備設備

|真空鍍膜機用電源/真空鍍膜機控制系統(tǒng)及軟件

直流濺射電源、RF射頻濺射電源、高精度熱蒸發(fā)電源、高能直流脈沖電源（中頻可調(diào)脈寬）

控制系統(tǒng)及軟件

團隊部分業(yè)績分布
自主設計制造的分子束外延（MBE）設備，包括自主設計制造的MBE超高真空外延生長室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、高溫束源爐、高溫樣品臺、Rheed原位實時在線監(jiān)控儀（反射高能電子衍射儀）、直線型電子槍、膜厚儀（可計量外延生長的分子層數(shù)）、射頻源等關鍵部件。真空度達到8.0×10^-9Pa。

設備于2005年在浙江大學光學儀器國家重點實驗室投入使用，至仍在正常使用。

設計制造磁控濺射與等離子體增強化學氣相沉積法PECVD技術聯(lián)合系統(tǒng)，應用于團簇式太陽能薄膜電池中試線。使用單位中科院電工所。

設計制造了金剛石薄膜制備設備，應用于金剛石薄膜材料的研究與中試生產(chǎn)設備。現(xiàn)使用單位中科院金屬研究所。

設計制造了全自動磁控濺射設備，可加水平磁場和垂直磁場，自行設計的真空機械手傳遞基片。應用于高密度磁記錄材料與器件的研究和中試?，F(xiàn)使用單位國家光電實驗室。

設計制造了OLED有機半導體發(fā)光材料及器件的研究和中試成套裝備。現(xiàn)使用單位香港城市大學先/進/材料實驗室。

設計制造了MOCVD及合金退火爐，用于GaN和ZnO的外延生長，實現(xiàn)LED無機半導體發(fā)光材料與器件的研究和中試。現(xiàn)使用單位南昌大學國家硅基LED工程技術研究中心。

設計制造了磁控濺射研究型設備?，F(xiàn)使用單位浙江大學半導體所。

設計制造了電子束蒸發(fā)儀研究型設備?，F(xiàn)使用單位武漢理工大學。

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