国产午夜久久无码专区喷水,国产91在线高潮白浆在线观看,国产精品无码永久免费不卡

熱門產品

看了該商品的顧客還看了

分子束外延MBE設備（分子束外延薄膜生長設備MBE）可以在某些襯底上實現(xiàn)外延生長工藝，實現(xiàn)分子自組裝、超晶格、量*子*阱、一維納米線等?？梢赃M行第*二*代半導體和第三代半導體的工藝驗證和外延片的生長制造。

分子束外延薄膜生長設備在薄膜外延生長時具有超*高的真空環(huán)境，是在理*想的環(huán)境下進行薄膜外延生長，它可以排除在薄膜生長時的各種干擾因素，得到理想的高*精*度*薄膜。

我公司設計制造的分子束外延薄膜生長實驗設備，分實驗型和生產型兩種，配置合理，結構簡單，操作方便，技*術*先*進，性*能*可*靠，用途多，實用性強，價格相對較低，可供各大學的實驗室及科研機構作為分子束外延方面的教學實驗、科學研究及工藝實驗之用。生產型MBE可用于小批量外延片的制備。

功能特點

本項目于2005年在國內率先完成了成套MBE的全國產化研發(fā)設計和制造，做到自主可控。自主設計MBE超*高*真*空外延生長室、工藝控制系統(tǒng)與軟件、RHEED原位實時在線監(jiān)控儀、直線型電子槍、高溫束源爐、束源爐電源、高溫樣品臺、膜厚儀（可計量外延生長的分子層數）等核心部件。

可實現(xiàn)第二代半導體（如砷化鎵等）和第三代半導體（如碳化硅和氮化鎵）的外延生長。

設備組成與主要技術指標

設備的組成

進樣室

該室用于樣品的進出倉，并配置有多樣片儲存功能。樣品庫可放六片基片。

預處理室

該室用于樣品在進入外延室之前進行真空等離子剝離式清洗和真空高溫除氣，及其他前期工藝處理。還用于對外延后的樣片進行后工藝處理，如高溫退火等等。

外延室

超*高*真*空潔凈真空室，實現(xiàn)分子束外延工藝。

主要技術指標

進樣室

極限真空：5.0×10^-5Pa

樣品裝載數量：6片（φ2 英寸～φ4 英寸，帶樣品載具）

預處理室

極限真空：5×10^-7Pa

樣品臺加熱溫度：室溫～ 850℃±1℃（PID 控制）

離子清洗源：Φ60；100 ～ 500eV

外延室

項目參數

極限真空離子泵 8.0×10^-9 Pa（冷阱輔助）

樣品臺加熱溫度室溫～ 1200℃±1℃（PID 控制）

樣品自轉速度 2 ～ 20 轉 / 每分鐘（無級可調）

氣態(tài)離化源 1～3套（氮）

固態(tài)束源爐 3 ～ 8 套（根據用戶需求配置）

Rheed 1套

*工藝室部分部件根據客戶需求不同，所配置不同。

實驗型MBE

設備組件

超*高*真*空直線型電子槍

自主研發(fā)直線型電子槍，滿足超*高*真*空和束源爐法蘭接口及安裝尺寸的要求；可用于高溫難融材料的加熱蒸發(fā)。

超*高*真*空直線型電子槍

高能衍射槍及電源

束斑0.6mm，高壓25kV。

光斑在熒光屏上可衍射圖像經CCD 相機采集后由計算機進行圖像處理。

生產型MBE

工藝實現(xiàn)

使用鵬城半導體自主研發(fā)的分子束外延設備生長的Bi_2-xSb_xTe₃。

1-3-6-3-2-7-5-0-0-1-7

供應鵬城半導體分子束外延MBE設備非標定制高精度薄膜

應用于半導體行業(yè)：

庫存：

產地：

數量：

價格：

熱門產品

看了該商品的顧客還看了

咨詢

裝箱清單

售后保障

應用于半導體行業(yè)的相關同類產品：

供應 鵬城半導體 分子束外延MBE設備 非標定制 高精度薄膜

應用于半導體行業(yè)：

庫 存：

產 地：

數 量：

價 格：

我要詢價

熱門產品

看了該商品的顧客還看了

咨詢

裝箱清單

售后保障

應用于半導體行業(yè)的相關同類產品：

供應鵬城半導體分子束外延MBE設備非標定制高精度薄膜

庫存：

產地：

數量：

價格：