太陽能CIGS薄膜鍍膜機 沈陽金研
1、設(shè)備用途: 采用電子束一步蒸發(fā)法用于制備CIGS(銅銦鎵硒)薄膜
2.技術(shù)數(shù)據(jù):
基片尺寸 |
1100mm×1400mm |
基片加熱溫度 |
300℃ |
工作真空度 |
6.7×10-4Pa |
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2.1鍍膜模式進片室+清洗室+鍍膜室+緩沖室+出片室
2.2鍍膜室EB蒸發(fā)源三個
2.3 EB蒸發(fā)源擋板三個
2.4膜厚修正機構(gòu)二套
2.5控制方式PID可編程控,全自動
3.技術(shù)型號:JCIGS-1型