網站首頁

中|EN

當前位置: 首頁 » 設備館 » 半導體加工設備 » 鍍膜設備 » 等離子沉積設備 »供應 鵬城半導體 等離子增強化學氣相沉積（PECVD設備） 非標定制
    •
    包郵 關注:397

    供應 鵬城半導體 等離子增強化學氣相沉積（PECVD設備） 非標定制

    應用于半導體行業(yè)：

    半導體加工設備-鍍膜設備-等離子沉積設備

    庫       存：

    999

    產       地：

    全國

    數       量：

    減少 增加

    價       格：

    面議
    交易保障 擔保交易 網銀支付

    品牌：

    型號：

    所屬系列：半導體加工設備-鍍膜設備-等離子沉積設備

     等離子增強化學氣相沉積（PECVD設備）主要用于在潔凈真空環(huán)境下進行氮化硅和氧化硅的薄膜生長；采用單頻或雙頻等離子增強型化學氣相沉積技術，是沉積高質量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設備。

     

     

    設備用途和功能特點

    1、該設備是高真空單頻或雙頻等離子增強化學氣相沉積PECVD薄膜設備，主要用于制備氮化硅和氧化硅薄膜。

    2、設備保護功能強，具備真空系統(tǒng)檢測與保護、水壓檢測與保護、相序檢測與保護、溫度檢測與保護。

    3、配置尾氣處理裝置。

     

    設備安全性設計

    1、電力系統(tǒng)的檢測與保護

    2、設置真空檢測與報警保護功能

    3、溫度檢測與報警保護

    4、冷卻循環(huán)水系統(tǒng)的壓力檢測和流量檢測與報警保護

     

    設備技術指標

     

     樣片尺寸  ≤φ6英寸（或3片2英寸）

     樣片加熱臺加熱溫度  室溫～ 600℃±0.1℃

     真空室極限真空  ≤7×10-5Pa

     工作背景真空  ≤8×10-4Pa

     設備總體漏放率  停泵12小時后，真空度≤10Pa

     樣品、電極間距  5mm ～ 50mm在線可調

     工作控制壓強  10Pa ～ 1500Pa

     氣體控制回路  根據工藝要求配置

     單頻電源的頻率  13.56MHz

     雙頻電源的頻率  13.56MHz/400KHz

     

    工作條件

     

     供電  三相五線制 AC 380V

     工作環(huán)境溫度  10℃～ 40℃

     氣體閥門供氣壓力  0.5MPa ～ 0.7MPa

     質量流量控制器輸入壓力  0.05MPa ～ 0.2MPa

     冷卻水循環(huán)量  0.6m3/h 水溫18℃～ 25℃

     設備總功率  7kW

     設備占地面積  2.0m ～ 2.0m

     

    PECVD及太陽能薄膜電池設備


    1-3-6-3-2-7-5-0-0-1-7

    咨詢

    購買之前，如有問題，請向我們咨詢

    提問:
     

    應用于半導體行業(yè)的相關同類產品：

    服務熱線

    4001027270

    功能和特性

    價格和優(yōu)惠

    微信公眾號